UHF power LDMOS transistor BLF647 FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on underside eliminates DC isolators, reducing common mode inductance • Designed for broadband operation (HF to 800 MHz) • Internal input damping for excellent stability over the whole frequency range. APPLICATIONS • Communication transmitter applications in the HF to 800 MHz frequency range. DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS push-pull transistor in a SOT540A package with ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange.
Блин, криво получится... сокращений некоторых не знаю UHF силовой LDMOS транзистор BLF647
ВОЗМОЖНОСТИ -Усиление высокого напряжения. (либо высокое усиление напряжения) -Легкое управление напряжением. (power - это напряжение, если я правильно понял. Но в принципе, power - это сила.) -Превосходная прочность. -Источник на нижней стороне устраняет изоляторы DC, уменьшая индуктивность текужего режима. -Разработан для широкополосной работы (ВЧ до(на) 800 МГц). -Дампинг внешнего входа для превосходной стабильности на всем диапазоне частот. ПРИЛОЖЕНИЯ -Приложения комменикационных трансмиттеров в частотном диапазоне ВЧ до(или "на") 800 Мгц ОПИСАНИЕ Улучшенный режим бокового кремниевого N-канала вухтактового транзистора в пакете SOT540A c керамической шляпкой (или керамическим наконецником, на сколько я понимаю). Стандартный источник подключен к (тут не очень понтно, но вроде "подключен к установленному флейнджеру")
Comments
FEATURES
• High power gain
• Easy power control
• Excellent ruggedness
• Source on underside eliminates DC isolators, reducing
common mode inductance
• Designed for broadband operation (HF to 800 MHz)
• Internal input damping for excellent stability over the
whole frequency range.
APPLICATIONS
• Communication transmitter applications in the
HF to 800 MHz frequency range.
DESCRIPTION
Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS
push-pull transistor in a SOT540A package with ceramic
cap. The common source is connected to the mounting
flange.
UHF силовой LDMOS транзистор BLF647
ВОЗМОЖНОСТИ
-Усиление высокого напряжения. (либо высокое усиление напряжения)
-Легкое управление напряжением. (power - это напряжение, если я правильно понял. Но в принципе, power - это сила.)
-Превосходная прочность.
-Источник на нижней стороне устраняет изоляторы DC, уменьшая индуктивность текужего режима.
-Разработан для широкополосной работы (ВЧ до(на) 800 МГц).
-Дампинг внешнего входа для превосходной стабильности на всем диапазоне частот.
ПРИЛОЖЕНИЯ
-Приложения комменикационных трансмиттеров в частотном диапазоне ВЧ до(или "на") 800 Мгц
ОПИСАНИЕ
Улучшенный режим бокового кремниевого N-канала вухтактового транзистора в пакете SOT540A c керамической шляпкой (или керамическим наконецником, на сколько я понимаю). Стандартный источник подключен к (тут не очень понтно, но вроде "подключен к установленному флейнджеру")